请问led从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图，回答最好的奖励20分。

Pss衬底- MOCVD -外延半成品-测量

中档流程:

1，有机清洗

用机:湿？板凳；氮气枪

1.？ACE:用有机溶剂去除有机污染

2.？国际音标:使用国际音标？和ACE一起？和水可以完全混溶，这样就可以彻底洗干净(通常污染源是IPA？来)。

3.？QDR？(快？去离子水？冲洗)？用快速去离子水带走贴在芯片上的物质。

4.？吹干:用氮气枪吹干晶片。

5.？脱水烘烤(120℃/10min):防止水汽残留影响涂层质量。

2.去除光致抗蚀剂

1.？ACE:用有机溶剂去除光刻胶

2.？国际音标:使用国际音标？和ACE一起？并且可以彻底清洗。

3.？QDR？(快？去离子水？冲洗)？用快速去离子水带走贴在芯片上的物质。

4.？吹干:用氮气枪吹干晶片。

5.？脱水烘烤(120℃/10min):防止水汽残留影响涂层质量。

各区简介

3、梅萨？阶段

1.？取证？国际贸易组织(International Trade Organization)

用机:伊藤？蒸汽镀膜机

沉积:ITO(氧化铟锡)

规格:？3750A(双强)，2600A(福林)

测量渗透率必须达到97%？以上，

反抗？低于10ω

检查要点:是否干净，是否有水痕或不明残留物，小黑点。

4、梅萨？黄灯

使用机器:旋转？涂布机、烘箱、校准器

沉积物:正性光敏电阻

节目:？耐光？软烤？曝光？发展？检查？硬烘焙

检验要点:切割路径是否干净，图案是否完整，掩膜(产品)型号是否正确。

5、梅萨？腐蚀剂

用机:湿？长凳，长椅

使用溶液:ITO？蚀刻液(盐酸+氯化铁)-蚀刻ITO

条件:55℃/？50秒

节目:？确认温度和秒数？蚀刻？洗？支票

检查要点:是否有侧蚀，切割路径是否干净，图形是否完整。

6.干法刻蚀

使用机器:ICP

蚀刻深度:12000~18000A(包括ITO)

7.去吗？公关？面膜？

用机:湿？长凳，长椅

使用的溶液:SF-M15？(LT-420)-去除光刻胶

硫酸+过氧化氢-去除有机物

节目:？确认温度和秒数？泡？冷却(5分钟)

ACE+超声波震荡汤？IPA？洗？印度麦芽酒（一种浅色啤酒）

热氮气吹干？硫酸+过氧化氢(室温/1分钟)

洗？支票

测量:α步？(边缘线测量仪)

考察重点:伊藤？表面上有PR吗？剩余路径和切割路径是

是否干净，图形是否完整。

8、TCL？腐蚀剂

用机:湿？长凳，长椅

使用溶液:ITO？蚀刻溶液(盐酸+氯化铁)

-蚀刻ITO

条件:55℃/？40秒

节目:？确认温度和秒数？蚀刻？洗？检查？去掉光阻？回盘时，一定要区分通过的炉管。

检查要点:是否有侧蚀，切割路径是否干净，图案是否完整，光刻胶是否残留。

9、线路测试

使用机器:引线键合机、张力计。

节目:？线？拉记录拉利克几次推金球。

扯下金线？吹掉金球金线？检查？

检查重点:？pad？剥皮数和拉利克数是否足够(必须大于？

8g)。有没有不粘的情况？

重要:？穿线完毕后必须将线头和金线完全去除，并用氮气枪吹干净。否则会造成芯片？打磨后厚薄不均，整片报废。

10，合金

使用机器:炉管

蚀刻深度:330？℃/10min？

后端流程:

流程顺序:

打磨工艺:打蜡→打磨→抛光→打蜡→清洗。

切割/劈裂过程:贴片→激光切割→劈裂→翻转→扩张。

点测过程:所有点/采样点(确认芯片的光/电特性数据)

分类过程:根据光/电特性

目视检查过程:去除外观不良的芯片