谁的闪存颗粒有知识产权？

SK海力士宣布开发238层闪存芯片，将于明年大规模生产。SK海力士的238层NAND闪存实现了世界上最小的面积，同时达到了业界最高的堆栈水平。SK海力士宣布开发238层闪存芯片，将于明年大规模生产。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，明年将量产到1。据国外媒体报道，韩国芯片制造商SK海力士周二宣布，它已经开发出一种238层NAND闪存芯片。

该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片。与上一代芯片相比，数据传输速度提升50%，读取数据的能耗降低265，438+0%。将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划于2023年上半年开始量产。

去年2月30日，12，SK海力士宣布完成对英特尔NAND闪存和SSD业务的第一阶段收购。在交易的第一阶段，英特尔将固态硬盘业务(包括转让与NAND固态硬盘相关的知识产权和员工)以及位于大连的NAND闪存制造厂出售给SK海力士，SK海力士向英特尔支付了70亿美元。

收购的第二阶段预计将在2025年3月及以后进行，届时SK海力士将向英特尔支付剩余的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产由SK海力士新成立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定延期扩建的工厂是该公司决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂。该工厂原计划于2023年末开工，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司决定推迟扩张计划的原因可能是由于成本上升和市场对芯片的需求放缓。

SK海力士宣布开发238层闪存芯片，将于明年大规模生产。2 SK海力士官方宣布，全球首款238层512Gb TLC 4D NAND闪存将于明年上半年投入量产。现在，SK海力士正式发文介绍其最新技术。

据介绍，SK海力士238层NAND闪存在达到业界最高堆栈水平的同时，实现了世界上最小的面积。

SK海力士2018研发的96层NAND闪存超越了传统的3D模式，引入了4D模式。为了成功开发具有4D架构的芯片，公司采用了电荷陷阱闪存(CTF)和PUC (Peri)技术。单元格下)。与3D模式相比，4D建筑具有单位面积更小、生产效率更高的优势。

官方称，新产品单位面积密度更高，用其更小的面积在同样大小的硅片上可以生产更多的芯片，因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%。

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代提升了50%，芯片读取数据时的能耗也降低了265，438+0%。

SK海力士计划首先为cSSD供应238层NAND闪存，然后逐步将进口范围扩大到智能手机和高容量服务器SSD。SK海力士明年还将发布全新的238层NAND闪存产品，密度为1Tb。

SK海力士宣布开发238层闪存芯片，将于明年大规模生产。7月26日，美国美光科技(Micron Technology)表示，将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是第一家正式宣布将NAND芯片扩展至200层以上的公司。周三，韩国SK海力士也宣布开发了一种超过200层的闪存芯片。

美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比上一代的176层芯片快50%，封装尺寸将比上一代小28%。该芯片将主要针对人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，以满足其低延迟和高吞吐量的要求。

南韩的SK海力士今天也宣布，它已经开发出一种超级200层。NAND闪存芯片。这个芯片由238层存储单元组成，比美光最新的芯片多了6层。

据SK海力士介绍，238层芯片是最小的NAND闪存芯片。数据传输速度和功率比上一代提高50%，读取数据的能耗也降低了265，438+0%。

SK海力士最新芯片将于2023年上半年开始量产；美光表示，将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好。

NAND闪存几乎用于所有主要的电子终端，如智能手机、电脑和USB驱动器。闪存在市场上不受欢迎的两个重要因素是成本和存储密度。

自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术以来，芯片层的竞争一直是各大NAND flash芯片厂商竞争的焦点。

与CPU和GPU仍在竞相增加晶体管密度，用更尖端的技术大幅提升芯片性能不同，在NAND市场，目前，增加层数是大幅提升存储密度的关键。所以NAND闪存从最初的24层上升到现在的200层。

但也有专家表示，在闪存芯片领域，每个厂商都有自己的技术架构和演进路线图，并不完全一致，每个厂商都有自己的技术工艺特点。在低层次上，3D堆叠确实可以显著提升闪存的性能，但随着层数的增加，性能提升也会遇到瓶颈，需要在技术、成本和性能之间找到平衡点。一般来说，层数并不代表闪存技术上的绝对领先，而是综合成本和性能而言。

美光的232层NAND采用了类似三星第七代闪存的“双栈”技术。把232层分成两部分，每一部分有116层，从一个又深又窄的洞里叠起来。通过蚀刻导体和绝缘体的交替层，用材料填充孔，并进行处理以形成位存储部件，制造出成品芯片。

蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔已经成为增加NAND闪存层数的技术障碍。

200层楼的野心

目前大部分闪存芯片还在生产100+层的芯片，但是很多厂商已经跃跃欲试，想要尝试200层的生产工艺。

早在2019，SK海力士就做了一个大胆的设想，2025年推出500层堆叠产品，2032年实现800层以上。

今年早些时候，美国西部数据及其合作伙伴日本驰夏表示，将很快推出超过200层的BiCS+存储芯片，计划于2024年正式上市。

参与多层竞争的三星电子也被曝将于今年年底推出超过200层的第八代NAND闪存。业内推测可以达到224层，传输速度和生产效率会提高30%。

在目前全球闪存格局中，三星电子虽然是技术的缔造者，过去也一直引领市场发展，但在200层以上的竞争中，略落后于美光和SK海力士。虽然这两家公司进入市场较晚，但他们的技术发展非常快，他们可能会保持技术领先地位。

未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC预测，1000层的NAND闪存已经不远，或将在10年内出现。层数之争依然是NAND闪存的主旋律，就看角落里能不能有人超车了。