王晓亮的主要科研成就

1996以来，GaN基微波功率器件结构材料研究工作在国内率先开展，在该领域始终发挥着关键的引领、示范和带动作用，为核心电子器件作出了重要的技术储备，推动了国家重大科技项目的立项和实施。主持国家重大科技项目、863重大项目、重大自然科学基金项目、973项目、中科院知识创新工程重要方向项目等多项国家重大项目的研究工作。在宽禁带GaN基半导体微电子外延材料领域，他带领他的研究团队加班加点，努力工作。通过自主创新，取得了重大技术突破，形成了系统的知识产权，取得了一批具有国内国际先进水平的优秀研究成果，部分成果达到国际领先水平。基本建成国产gan基微电子外延材料技术平台，实现批量晶圆供应。我国已联合研制出第一个GaN基HEMT器件、第一个GaN基X波段微波功率器件、第一个GaN基微波单片集成电路和连续波输出功率1.32 W、脉冲波输出功率1.76 W的X波段微波功率模块电路。研制出3英寸GaN基微波功率器件材料，有力支撑了我国新一代核心电子器件和电路的发展，推动了关键电子器件和电路芯片的国产化，为实现我国在新一代宽带隙半导体领域的创新跨越做出了重要贡献。

MOCVD设备是信息产业中重要的关键设备。长期以来，我国使用的MOCVD设备都是从国外进口的，对我国信息产业的安全和发展构成了严重威胁。王晓亮研究员带领他的研究小组，不畏艰难困苦。通过三年的不懈努力，他克服了一个又一个困难和一个又一个技术难题。2009年6月，成功研制出国内第一台MOCVD工程样机，可一次生长7片2英寸(3英寸)GaN基外延材料，2011。样机经验证具有良好的重复性、稳定性和可靠性，综合性能与国外同类设备相当，实现了MOCVD设备核心技术的自主研究和创新。2012取得的MOCVD制造关键专利技术，以无形资产(2000万)投入广东中科宏伟半导体设备有限公司，促进了MOCVD设备的产业化。2014年，成功研制出可生长2-8英寸GaN基微电子材料的MOCVD设备，研制材料性能达到国际先进水平，加快了我国信息产业核心装备MOCVD设备的自主创新发展和工程产业化进程。

此外，王晓亮研究员带领其研究团队系统地开展了基于gan的新型电力电子器件的研究工作，通过对结构材料设计、外延生长、器件制备技术的研究和优化，研制出了具有国内领先水平的GaN基耗尽增强型开关器件，两端器件击穿电压为1.960V，三端器件击穿电压为1.240V，为下一步的研制和应用奠定了基础。

90年代以来，在国内外主要学术期刊上发表研究论文160余篇，在信息科学卷《10000个科学问题》(p328-331，科学出版社)撰写专题《固态微波器件》。30多项国家发明专利获得授权，形成了系统的知识产权；已培养28名研究生并获得博士学位。