晶体管电商是什么时候国产的？

第一阶段从1965到1978，以支持计算机和军工、发展逻辑电路为主要产品为目标，初步建立集成电路的产业基础和相关设备、仪器、材料的配套条件；

第二阶段，从1978到1990，主要引进美国二手设备，提高集成电路装备水平，在“消散乱”的同时，解决以消费类整机为支撑重点的彩电集成电路国产化；

第三阶段为1990至2000年，以908、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方研发基地建设，服务信息产业，集成电路产业取得新进展；

第四阶段是2000年至今。智能手机和消费电子的快速发展推动了集成电路的发展。以上海、北京、深圳为第一梯队，我国集成电路产业整体发展迅速，我国集成电路企业实力也得到显著提升。

中国集成电路史上最具代表性的六位科学家。

一、黄畅:中国航天微电子与微机技术的奠基人。

1934年9月入南京五台山小学，后随父母迁居。曾就读于湖南长沙下马岭小学和香港中华中学附属小学。黄畅先生于1953在美国哈佛大学获得博士学位后，从1958受聘于切瓦尼亚半导体厂，历任高级工程师、专家工程师、工程经理，从事半导体前沿科研工作。

20世纪50年代初，国际半导体和晶体管理论和技术处于研发阶段。在此期间，身在美国的黄昌先生将研究重点放在半导体的前沿科学上，如晶体管理论和制造技术。通过在美国多家著名企业和院校对晶体管理论和技术的探索和研究，系统论述了晶体管的理论和应用，发表论文20余篇，获得美国专利10项。

1965年，为了发展航天微电子和微型计算机，黄畅先生被调到同年成立的中国科学院工程系，也就是771所的前身，开始从事航天微电子和微型计算机工作。黄畅研制成功固体火箭用CMOS集成电路计算机，使我国卫星运载技术迈上新台阶，为后续发展奠定了坚实基础。1975年，他主持的大规模集成电路和大规模集成I2L微型计算机获得1978年第一届全国科技大会质量金奖。

二、邓中翰:中国芯片之父

1968年9月5日出生于江苏南京，微电子、大规模集成电路与系统专家，中国工程院院士，星光中国芯工程总指挥，中星微集团创始人。1987年9月，邓中翰被中科大地球与空间科学系录取。大学期间，邓中翰在黄培华教授的指导下进行科学研究。1992年6月，本科毕业后赴美留学，进入加州大学伯克利分校，先后获得物理学硕士、经济学硕士、电子工程和计算机科学博士学位，成为130建校以来跨越理、工、商的第一人。

2005年，邓中翰牵头研发设计了“星光”系列数字多媒体芯片，实现了8项核心技术突破，在国内申请了2000多项该领域的国内外技术专利，取得了一系列核心技术突破和大规模产业化的重要成果。这是我国具有自主知识产权的集成电路芯片在一个重要应用领域首次达到全球市场领先地位，彻底结束了我国“无芯”的历史。

邓中翰是我国大规模集成电路和系统技术的主要开拓者之一，邓中翰在“星光中国芯工程”中成绩突出，被业界称为“中国芯之父”。

三、沈旭邦:开发16位嵌入式微型计算机，推动NMOS技术发展。

沈旭邦1933出生于临澧县霍峰乡蓝田村，1953考入武汉大学数学系，中国计算机专家、中国科学院院士，1957毕业于北京大学数学力学系。中国航天时代电子公司771所研究员，大学兼职教授，一直从事嵌入式计算机及其芯片的设计工作。

沈旭邦一直从事空间计算机及其国产芯片的设计和研制，做出了很大贡献。65438年至0965年，他设计研制了国内第一台双极小规模集成电路空间制导计算机，首次研制出国内第一台PMOS中规模集成电路空间制导计算机，推动了我国PMOS集成电路技术的快速发展。

1977年为NMOS大规模集成电路航天完成了国内首台16位微型计算机的研制，获国家科技进步三等奖。1988专用大规模集成电路运算逻辑器件ALU获国防科技进步三等奖。

四、徐居延:建立中国第一个集成电路专业研究所。

7月9日出生于福建省闽侯县，1953-1956，就读于厦门大学物理系，1956-1957就读于北京大学物理系。65438-0970，参与组建了我国第一个集成电路专业研究所——二十四所，组织了我国第一个硅平面单片集成电路的研制和定型，参与了计算机辅助制版系统和离子注入技术的基础研究，为集成电路工程技术研究做出了创新性贡献。

从1978开始走上院级技术负责人岗位，在确定科技方向、预先研究、繁荣学术活动、加快人才培养、组织科技研究等方面做出了显著成绩。在他担任总工程师期间，24个研究所先后完成了4K、16K、64K DRAM、八位微型计算机、超高速ECL、八位数模转换器等重大科技开发工作，获得国家科技进步奖1项，科技进步一等奖10多项。

徐居延同志是奠定我国微电子工业起步基础的参与者，是当前最重要企业技术创造的先驱，为我国微电子工业的发展做出了巨大贡献。

动词 （verb的缩写）林:中国微波之父

1919 10 10月20日出生于广东省台山县。中国科学院院士，微波理论家，电子科技大学教授。1939毕业于清华大学。1951在美国加州大学获得博士学位。1951回国后，先后在岭南大学和华南理工大学任教。

林为我国电磁科学的发展做出了杰出的贡献。他在这个领域工作了50年，主要的科技成果是闭场理论、开场理论和镜像理论。在闭场理论中，他发表了“一腔多模微波滤波器”的观点，奠定了一腔多模的作用。林对毫米波技术和宽带光纤技术进行了系统的研究，完成了大量的国家科研任务，取得了一系列成果。

正是由于他对国内微波理论的开拓性贡献，香港中文大学在1993邀请林作学术报告时，尊称他为“中国微波之父”。

吴德新:我国首次研制成功硅平面高速开关晶体管。

1936出生于河北乐亭，半导体器件和集成电路专家。1961清华大学无线电与电子工程系毕业，主要从事化合物半导体异质结晶体管及电路研究，包括0.1微米GaAs/AlGaAs异质结高迁移率场效应晶体管、GaAs/InGaP HBT晶体管、GaN/AlGaN异质结。

20世纪60年代初，吴德新在国内首先研究成功了硅平面高速开关晶体管，提出的提高开关速度的方案被广泛采用并向全国推广。60年代末成功研究了介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路，70年代末成功研究了MOS4K位动态随机存储器。我国大规模集成电路的发展首先采用正性光刻胶光刻和干法刻蚀，并开展了提高成品率的研究。

吴德新在国内率先提出利用MEMS结构实现激光器与光纤的无源耦合，并成功研究出工作速率为10Gbps的光发射模块。其中“先进深亚微米技术与新器件”获2003年北京市科学技术一等奖。独立自主研发了一整套0.8微米CMOS工艺技术，获得1998中国科学院科技进步一等奖，1999国家科技进步二等奖。

俗话说，挖井人，饮水不可忘。我们在享受科技带来的便利的同时，也不应该忘记那些为开拓科技而献身的人。他们是国家的骄傲，是集成电路产业的骄傲。列出这些科学家的目的，一方面是为了表示对这些科学家的尊重，另一方面也是为了鼓励更多的企业或个人为中国集成电路做出更大的贡献，助力“中国芯”的发展。